| 技术参数 | 技术指标 |
|---|---|
| 硅基尺寸 | 60×80(mm) |
| 测量范围 | 0～2000 W/㎡ |
| 测量精度 | ＜ ±5%，通常为±3% |
| 分 辨 率 | 0.1 W/㎡ |
| 灵 敏 度 | 7～18μV/W•m -2 |
| 阻 抗 | 50～200Ω |
| 响应时间 | 1S(95%) |
| 长期稳定性 | ＜ 2%/年 |
| 余弦响应 非 线 性 光谱范围 | ＜ 10%（直到80°） |
| 外壳材质 | 阳极氧化铝合金材质 |
| 温度修正 | 自动辐照温度补偿 |
| 采集分辨率 | 16bits |
| 信号输出 | 0 ～ 20mV（工作电压无） |
| 传感器类型 工作电压 | 进口硅光二极管 |
| 技术参数 | 技术指标 |
|---|---|
| 硅基尺寸 | 60×80(mm) |
| 测量范围 | 0～2000 W/㎡ |
| 测量精度 | ＜ ±5%，通常为±3% |
| 分 辨 率 | 0.1 W/㎡ |
| 灵 敏 度 | 7～18μV/W•m -2 |
| 阻 抗 | 50～200Ω |
| 响应时间 | 1S(95%) |
| 长期稳定性 | ＜ 2%/年 |
| 余弦响应 非 线 性 光谱范围 | ＜ 10%（直到80°） |
| 外壳材质 | 阳极氧化铝合金材质 |
| 温度修正 | 自动辐照温度补偿 |
| 采集分辨率 | 16bits |
| 信号输出 | 0 ～ 20mV（工作电压无） |
| 传感器类型 工作电压 | 进口硅光二极管 |
